RTP快速退火炉

       快速热处理退火炉简称 RTP(Rapid Thermal Processing Furnace),是我公司在原有生产制造工艺的基础上不断改进,自主研发而成。它不但拥有非常快的升温速率100℃/S,而且可在烧结工艺运行完结后直接将试样在高温区取出。退火炉可实现物理状态下的快速降温。我们的工程师巧妙地利用了冷壁工艺,退火炉在绿色节能环保的基础上实现了试样的快速升降温。

       设备采用了内管进气、外管出气的气路结构,使得反应气氛与加工样品充分而均匀地接触。退火炉是CVD法生长大尺寸二维石墨烯的常用设备。测温元件直接和试样接触,保证试样温度的准确性。

用途

快速热处理退火炉(RTP)主要用于半导体工业和新型材料工艺领域,包括晶圆热处理、掺杂激活、缺陷修复、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和太阳能电池的后工艺处理,以及CMOS器件后端制程。RTP在材料性能研究、半导体材料制备、纳米材料合成与研究中也发挥重要作用。此外,RTP广泛应用于IC晶圆、LED晶圆、MEMS等芯片产品的生产,以及液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)等显示器件的制造。在金属材料加工、电子器件封装与组装、太阳能电池制造等领域,RTP也提供了关键的热处理支持。

参数

产品特点

1、极速升温 100℃/S,极速降温 100℃/S;

2、智能控制系统,大屏幕操作界面;

3、双层炉管结构,气氛与样品接触更均匀;

4、直接测量样品表面温度,测温更精准;

5、炉膛根据设置可自动左右移动,可以满足更多的实验应用;

6、淬火后冷却气体直吹样品表面,智能控制系统可以保证腔内压力自动平衡;

应用领域
  1. 1、快速热退火 (RTA),离子注入后退火
  2. 2、石墨烯等气象沉积,碳纳米管等外延生长
  3. 3、快速热氧化 (RTO), 热氮化 (RTN)
  4. 4、硅化 (Silicidation)
  5. 5、扩散 (Diffusion)
  6. 6、离子注入后退火 (Implant Annealing)
  7. 7、电极合金化 (Contact Alloying)
  8. 8、晶向化和坚化 (Crystallization and Densification)
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